> BF 257 - BF 258 - BF 259 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-WeiB- und Farb-FS-Empfangern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers. Circuits with high supply voltages c 7) D rs 2 x BC 3 c 7) 3 4 = iS 1 Pa 2 Pa Not for new developments Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Sperrspannung @ High reverse voltage @ Verlustleistung 5 W @ Power dissipation 5 W Abmessungen in mm Dimensions in mm Kollektor mit Gehause verbunden Collector connected with case Normgehause Case 5 C3 DIN 41873 JEDEC TO 39 Gewicht - Weight max. 1,59 Absolute Grenzdaten BF 257 BF 258 BF 259 Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung UcBo 160 250 300 v Collector-base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEO 160 250 300 v Cofllector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung VEBO 5 Vv Emitter-base voltage Kollektorstrom Ic 100 mA Collector current Gesamtverlustleistung Total power dissipation case = 25C Prot 5 w Sperrschichttemperatur ij 175 C Junction temperature Lagerungstemperaturbereich t -55 .... +175 C Storage temperature range B 2/V.2.508/0875 A 1 233 BF 257 - BF 258 - BF 259 tot Sa tot Sa 234 50 150 C 0 50 100 150 C case >- case >- 70057 Tm t BF 257 Ugg =100V BF 259 loBo BF 258 Ugg =200V BF 259 Ugg =250V oO. 0,01 50 150 C 9,001 case - BF 257 - BF 258 - BF 259 Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht-Gehduse Junction case Statische KenngrBen DC characteristics lamb = 25C Kollektorreststrom Collector cut-off current Ugg = 100 V BF 257 Ucp = 200 V BF 258 Ugg = 250V BF 259 Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage Ig = 100 pA BF 257 BF 258 BF 259 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voitage Ig = 10mA BF 257 BF 258 BF 259 Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage Te = 100 pA Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage Ig = 30 mA, Ig = GMA Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio Uce = 10 V, Ic = 30 mA Dynamische KenngrBen AC characteristics lamb = 25C Transitfrequenz Gain bandwidth product Ugg = 10V, Ig = 10 mA, f = 20 MHz 1 P } Tp = 0,01, tp = 0,3 ms Min. Typ. Max. Rthuc 30 Topo 50 Icpo 50 IcBo 50 Uprycpo 160 UprycBo 259 UpsrycBso 300 Ueryceo ) 160 UBR)CEO ) 250 UprR)yceo ) 300 UBR)EBO 5 UcEsat 1 hee!) 25 ST 90 C/W nA nA nA <<< <<< MHz 235 BF 257 - BF 258 - BF 259 Min. Typ. Max. Riickwirkungskapazitat Feedback capacitance Ucp = 10V, f =1 MHz Cire 4,2 pF Kollektor-Basis-Kapazitat Collector-base capacitance Ucs = 30V, f = 1MHz CcBo 5,5 pF Kollektor-Emitter-Kniespannung Collector-emitter knee voltage Ig = 40 mA, Re = 100 0, Re = 4 kQ, f = 0,5 MHz, 1 = 150C Ucekn) 20 Vv U, CEsat UBe 800 300 mV mV tpe = 5 famb = 25 C 2 = 0,01 fp = 0,3 me Uge = 10V 200 famb * 25 C 2 = 0,01 20,3 ms 100 0 . oO 20 80 mA 1 1 10 mA Ic + Io _ ?) Kollektor-Emitter-Kniespannung Uce,, * Spannung, bei der die Kurzschiu8-Vorwrtssteilheit |?te| aut den 0,8-fachen Wert der KurzschluB-Vorwartssteilheit bei Ucg = 50 V abgesunken ist. Collector-emitter knee voltage Ucgex, * Voltage at which the short circuit forward transfer admittance | Yte | is dropped to 80% of the short circuit transfer admittance at Ucg = 50 V. BF 257 - BF 258 - BF 259 "FEN 0,5 A hee = FE fea oa n Age lig = 40 mad Uce = tov famb = 25 C 0,1 0,05 1 5 10 50mA te 237