SFH 9500
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• Geeignet für Oberflächenmontage (SMT)
• Kompaktes Gehäuse
• GaAs-IR-Sendediode (940 nm)
• Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
• Mit Positionspin
• Geeignet für „pick and place“ Montage
• Hohe Genauigkeit (Schlitzbreite 0,5 mm)
• Große Spaltbreite zwischen Sender und
Empfänger (5 mm)
• Hohe Stabilität auf PCB durch große
Bauelementabmessung (6,8 mm)
Anwendungen
• Geschwindigkeitsüberwachung
• Motorsteuerung
• Überwachung des Papiervorschubs in
Druckern, Kopier- und Faxgeräten
• Speicherlaufwerke
• Steuerung des Druckkopfes in Druckern
• Münzdetektion
• Optoelektronische Schalter
Features
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Compact type
• GaAs infrared emitter (940 nm)
• Silicon phototransistor detector with
daylight-cutoff filter
• With positioning pin
• Suitable for pick and place
• High sensing accuracy (slit width: 0.5 mm)
• Wide gap between emitter and detector (5 mm)
• High stability on pcb due to large width of
device (6.8 mm)
Applications
• Speed control
• Motor control
• Monitoring of paper feed in printers, copiers,
facsimiles
• Disk drives
• Control of print head in printers
• Coin detection
• Optoelectronic switches
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9500
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 9500 Q62702-P5066 Schwarzes Polykarbonat Plastikgehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm
Raster, Senderseite durch Buchstaben „E“, Empfängerseite durch
Buchstaben„S“gekennzeichnet,Kathode/Transistoremitterdurch
schräge Kante gekennzeichnet
Black polycarbonate plastic material housing, solder tabs 2.54-mm
(1/10") spacing, emitter side marked with letter “E”, sensor side
marked with letter “S”, cathode / emitter of transistor marked with
edge at an angle
Grenzwerte TA = 25 °C
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF (DC) 60 mA
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
SFH 9500
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-emitter voltage VCE 30 V
Kollektor-Emitter-Spannung, (t≤2 min)
Collector-emitter voltage VCE 70
Emitter-Kollektor-Spannung
Emitter-collector voltage VEC 7
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 150 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 40 … + 85 °C
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 40 … + 85
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge ESD 2 kV
Grenzwerte TA = 25 °C
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9500
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission λpeak 940 nm
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 20 m, tp= 20 ms
VF1.2 (≤1.4) V
Sperrstrom
Reverse current
VR= 5 V
IR0.01 (≤1) µA
Kapazität
Capacitance
VR= 0 V, f = 1 MHz
C016 pF
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 920 nm
Spectr. Bereich der Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ840 … 1080 nm
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CCE 6.5 pF
Dunkelstrom, VCE = 20 V
Dark current ICEO 2(≤ 50) nA
SFH 9500
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Gabellichtschranke
Slotted interrupter
Kollektor-Emitterstrom
Collector-emitter current
IF = 20 mA; VCE = 5 V
ICE > 1 mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter-saturation voltage
IF = 20 mA; IC = 0.3 mA
VCE sat ≤0.4 V
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
VCC = 5 V, IC = 1 mA, RL = 1 kΩ
tr
tf
13
17 µs
µs
Kennwerte TA = 25 °C (cont’d)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 9500
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
Forward Current IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
Total Power Dissipation for
Emitter and Detector Ptot = f (TA)
V
OHF00367
F
10
-2
0
Ι
F
12340.5 1.5 2.5 V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
mA
T
OHF00410
A
tot
P
002040
60 80 100˚C
20
40
60
80
100
120
140
160 Detector
Emitter
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
T
OHF00372
A
00
Ι
F
20 40 60 80 120
10
20
30
40
50
60
70
mA
90
C
R
thJA
= 280 K/W
Dark Current ICEO = f (TA)
VCE = 20 V, E = 0
T
OHF00380
A
CEO
Ι
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
0
nA
20 40 60 80 100˚C
SFH 9500
2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPX06988
5.2
4.9
13.65
13.25
(2.2)
7.1
6.9
(8)
10.2
9.8
2.05
1.85 6.1
5.9
(15.6)
0...0.1
0.5
0.3
5.1
4.9
6.7
6.9
0.9
1.1
3.8
4.0
0.8
0.6
0.6
0.4
2.54
6.0
6.2
Pin 3Pin 2
Pin 4Pin 1
0.4
0.6
Emitter Sensor
3
41
2Circuitry
Optical axis
2000-01-01 8 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9500
Löthinweise
Soldering Conditions
Bauform
Type Reflowlötung
Reflow Soldering Tauch-, Schwalllötung
Dip, Wave Soldering
Peak Temp. of Soldering
Zone Max. Time in Peak Zone
SFH 9500 245 °C … 215 °C
Preheating 150 °C10 s … 40 s
approx. 1 min. –
