SFH 221
2007-04-03 3
Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit
vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral sensitivity
from the average
ΔS± 5 %
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.80 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage VO330 (≥ 280) mV
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current ISC 24 μA
Isolationsstrom, VIS = 100 V
Insulation current IIS 0.1 (≤ 1) nA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 25 μA
tr, tf500 ns
Durchlaβspannung, IF = 40 mA, E = 0
Forward voltage VF1.0 V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C025 pF
Temperaturkoeffizient für VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient für ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 850 nm
NEP 1.0 × 10–13
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 1.2 × 1012
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) per single diode (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
W
Hz
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cm Hz×
W
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