ek Aor DO41 DO29 DO27 CB170 CB 169 po4 (CB 26) (CB 101) (CB 126) (CB 197) {CB 33) Silicon rectifier diodes Normal series Diodes de redressement au silicium Sries normales VE / te In/ VraM Toper lesm (Vv) (A) (wA} Type Case VaRM (C) (A) 25 C 25 C DRT 76 Boitier (Vv) max lg (A) tp 10 ms max max Page 1N 645 DO? 225 150 0,4 Tamb 25 C 3(1) 104 0,2 93 1N 646 DO7 300 150 0,4 Tamb 25 OC 3) 1 04 0,2 93 IN 647 DO? 400 150 0,4 Tamb 25 C 31) 1 04 0,2 93 1N 648 DO7 500 150 0,4 Tamb 25 C 3(1) 1 04 0,2 93 iN 649 DO7 600 150 0,4 Tamb 25 OC 3(1) 1 04 0,2 93 +N 4001 DO 41 50 175 1 Tamb 75 OC 30 Wo 5 105 iN 4002 DO 41 100 175 1 Tamb 75 C 30 WW 5 105 1N 4003 bo 41 200 175 1 Tamb 75 OC 30 it 5 105 iN 4004 DO 41 400 175 1 Tamb 75 OC 30 1 5 105 IN 4005 DO 41 600 175 1 Tamb 75 C 30 1 1 5 105 1N 4006 DO 41 800 175 1 Tamb 75 C 30 Wo 5 147 1N 4007 00 41 1000 175 1 Tamb 75 OC 30 it 5 117 ESM 100 DO 29 100 175 1 Tamb 50 C 50 1 1 10 117 1N 4383 DO 29 200 175 1 Tamb 50 C 50 1 1 10 17 1N 4384 DO 29 400 175 1 Tamb 50 OC 50 1 1 10 117 1N 4385 DO 29 600 175 1 Tamb 50 C 50 1 4 10 117 TN 4585 DO 29 800 175 1 Tamb 50 C 50 1 1 10 W7 TN 4586 DO 29 7000 175 1 Tamb 50 C 50 i 1 10 117 1N 5059 CB 170 200 175 1 Tamb 75 OC 50 12 1 5 109 1N 5060 CB 170 400 175 1 Tamb 75 C 50 12 4 5 109 1N 5061 CB 170 600 175 1 Tamb 75 C 50 12 4 5 109 iN 5062 CB 170 800 175 1 Tamb 75 C 50 42.4 5 109 1N 5624 CB 169 200 175 3 Tamb 70 C 125 13 5 413 iN 5625 CB 169 400 175 3 Tamb 70 C 125 + 3 5 4113 IN 5626 CB 169 600 175 3 Tamn 70C 125 i 3 5 173 1N 5627 CB 169 B00 175 3 Tam 70C 125 1. 3 5 143 BY 251 DO27pl. 200 150 3 Tamb 50 C 100 13 20 # BY 252 DO 27 pl. 400 150 3 Tamb 50 C 100 i 3 20 # BY 253 DO 27 pl. 600 150 3 Tamb 50 C 100 113 20 # BY 254 DO 27 pl. 800 160 3 Tamb 50 C 100 11 3 20 # BY 255 DO27 pl. 1300 150 3 Tamb 50 C 100 113 20 # 1N 1581 DO4 50 175 3 Tease 150 C 40 4,5(2)3=5000(2)S~**ST0T 1N 1582 DO4 100 175 3T ease 150C 40 1,5(2) 3 000(2) 101 tN 1583 DO4 200 175 3 Tease 150 OC 40 1,6(2) 3 6000(2) 101 IN 1584 bo4 300 175 3 Tease 150 C 40 1,5(2) 3 5000(2) 101 IN 1585 Do4 400 175 3 Tease 150 C 40 15(2) 3 500012) Tot 1N 1586 DO4 500 175 3 Tease 150 C 40 1,5(2) 3 5000(2) 101 # To be published later (1) tp Ims (2) Tease 150 C Sera publie ultrieurement 101