BAV70W
BAV70W
Surface Mount Small Signal Dual Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-09-28
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Power dissipation
Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
75 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAV70W
Power dissipation − Verlustleistung 1) Ptot 200 mW 1)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
IFAV
175 mA 2)
100mA 1) 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM 75 V
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Tj150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS- 55…+ 150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current 3)
Sperrstrom
VR = 75 V Tj = 25°C IR< 5 µA
VR = 25 V
VR = 75 V Tj = 150°C IR
IR
< 60 µA
< 100 µA
1 Both diodes loaded − Beide Dioden belastet
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.3
0.3
1.25
±0.1
1
±0.1
2
±0.1
2.1
±0.1
Type
Code
3
21
BAV70W
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 625 K/W 1)
Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Kathode
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAV70W = A4
or /oder = KJA
or /oder = PH
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
3
21
