PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR 2N 4957 TRANSISTORS PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX 2 N 4958 2N 4959 - High gain, tow noise amplifier Ampliticateur & grand gain et faible bruit VcEo ~30 V - Oscillators and mixers Oscillateurs et mlangeurs Ic 30 mA ho4_(-2 mA) 20 min. 1200 MHz min. 2N 4957 f(2 mA) 2N 4958 1000 MHz min. { 2N 4959 Maximum power dissipation Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-4 dernires pages Prot iw) 0,2 M 3 0,15 5 Bottom view 0,1 Vue de dessous 0,05 Weight : 0,7 g. Connection M is connected to case 0 $0 100 150 200 Tambo) Masse La connexion M est relide au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T, 4. = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am (Sauf indications contraires) Coliector-base voltage Vv Tension collecteur-bese CBO -30 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur cEO 30 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 3 v Collector current i Courant collecteur c ~30 mA Power dissipation Prot 200 mw Dissipation de puissance 0 Junction temperature max. T. 200 c Temprature de jonetion J Storage temperature min. T 65 Temprature de stockage max. stg +200 C THOMSON-CSF 76-23 1/9 [DMSION SEMICONDUCTELRS 2632N 4957, 2N 4958, 2N 4959 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb {Sauf indications contreires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =-10V cB -0,1 BA Ig =0 Collector-base cut-off current lego Courent risiduel collecteur-bese Cc Vog =10V ip =0 -100 pA Tamb= 150C I =e Cc 1mA -30 v Ip = Collector-emitter breakdown voltage Vv Tension de claquage collecteur-metteur (BR)CEO I =100 pA c M -3 Vv 'g = Collector-base breakdown voltage le =100 pA Tension de claquege collecteur-base Ic = Visriceo 30 Vv Static forward current transfer ratio Veg = 10V Valeur statique du rapport de transfert Il. =-2mA hoe 20 40 direct du courant c 7 m DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Veg = -10V 2N 4957 | 1200 1600 MHz Fransition frequency Ie =-2mA fy 2N 4958 | 1000 1500 2500 MHz rquence de transition f = 100 MHz 2N 4959 | 1000 1500 2500 MHz Veg = -10V Output capacitance cB Cc. Capacit de sortie & _ : MHz 22b 04 08 pF Vop =10V Collector-base time constant 1 cB =-2mA roc 8 Constante de temps collecteur-base EE =7em bb bc Ps f = 63,6 MHz 2/9 2642N 4957, 2N 4958, 2N 4959 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Saut indications contraires) Test conditions | Min. Typ. Max. Veg = 10V 2N 4957 26 3 dB Ic =~2mA 2N 4958 29 33 dB f =450 MHz 2N 4959 3.2 3,8 gB Noise figure F Facteur de bruit Veg = -10V Ic = 2mA 2N 4957 5 4B Rg =802 f = 1000 MHz Veg =10V 2N 4957 | 17 25 dB lo =-2mA 2N 4958 | 16 26 dB f = 450 MHz 2N 4959 15 26 dB Power gain Gain en puissance Gp Voge = 10V Ic =72mA 2N 4957 dB = 13 Rg =502 f = 1000 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Russ ecw Rsistance thermique (jonction-embiante) thij-a) 875 3/9 2652N 4957, 2N 4958, 2N 4959 FIGURE 1: Noise figure and power gain test circuit Circuit de mesure du facteur de bruit et du gain en puissance Rg = 502 C1, C2, C3, C4, C5 : 1--10 pF air trimmer, piston type Li: Silver plated brass bar stock 25 mm jong, 6 mm diameter L2 _: Silver plated brass bar stock 40 mm long, 6 mm diameter, tapped 6 mm from collector L3 : 12mm loop of 1,3 mm wire, 9,5 mm from anf paraliel to L2 Common Commun C1, C2, C3, C4, C5: 1-10 pF ajustables & air ut: L2: 3: Rond de laiton argent @ =6 mm, longueur 25 mm Rond de laiton argent @ =6 mm, longueur 40 mm prise & 6mm du collecteur boucle de 12 mm en fil de 1,3 mm parallie 4 L2 et @ 9,5 mm de distance, 4/9 2662N 4957, 2N 4958, 2N 4959 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2 468 2 468 2 468 0 2 4 6 8 VogtV) 10 90 a! elma Sib Cop (pF) 10" 2 468 2 468 2 468 0 2 4 6 8 Igima 1071 10 10" v 2672N 4957, 2N 4958, 2N 4959 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (mS) Vag = 10 eee Vop = -15V 0 ~~ - f = 450 MHz 80 ~iPy 25 60 40 20 0 2 4 6 8 Igima) 0 2 4 6 8 tglma) (ms) 60 40 20 0 2 4 6 8 Igima) 0 2 4 6 8 Igima) 6/9 2682N 4957, 2N 4958, 2N 4959 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (mS) 16 (mS) 60 20 8 8 igima) Igima) (mS) 1,2 0,8 0,6 (mS) 4 6 8 Ig{ma) 4 6 8 igima) 79 2692N 4957, 2N 4958, 2N 4959 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES TTT 1 WT (ms) (ms) Vog = ~-10V Io = -2mA 60 1,6 541b 50 40 1,2 30 vr 0,8 20 A \ Ly, \ 0,4 10 a i 0 0 2.468 ,2 46852 468 2 468 468 468 10! 10 10 (MHz) 10! 10? 103 f(MHz) mT TTT Von = -10V 12 a =-2mA 10 8 Tibor, 6 A 4 yd 922 2 7 7] 0 Le | Vy 2 468 2 468 2 4 2 468 468 2 468 10! 10? 103 fiMHz} 10! 10? 103 #(MHz) 3/9 2702N 4957, 2N 4958, 2N 4959 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2 468 2 468 2 468 102 503 fitz) 10! 10? 103 f(MHz) 2 468 2 46 2 #46 (mS) 12 Vog = 10V lg = 2mA | 10 +b 206 8 6 / 922 2 Tn -20 9 pat 2 68 2 468 6 2 6 4 10 7 * 84q2 7? * 83 7 * Fite) 10! 102 103 f(MHz) 3/9