SFH 221 S
Semiconductor Group 399
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
●Hohe Fotoempfindlichkeit
●Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
TO-5), geeignet bis 125 oC1)
●Doppeldiode von extrem hoher
Gleichmäβigkeit
Anwendungen
●Nachlaufsteuerungen
●Kantenführung
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
●High photosensitivity
●Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5), suitable up to 125 oC1)
●Double diode with extremely high
homogeneousness
Applications
●Follow-up controls
●Edge drives
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC
1) For operating conditions of TA > 85 oC please contact us.
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95) Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 221 S
(*SFH 221) Q62702-P270 Lötspieβe im 5.08-mm-Raster (2/10”)
solder tabs 5.08 mm (2/10”) lead spacing
SFH 221 S
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 221 S
Semiconductor Group 400
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg –40 ... +80 oC
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3s)
TS230 oC
Sperrspannung
Reverse voltage VR10 V
Isolationsspannung gegen Gehäuse
Insulation voltage vs. package VIS 100 V
Verlustleistung, TA = 25 oC
Total power dissipation Ptot 50 mW
Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity S24 (≥15) nA/Ix
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ400 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A1.54 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
LxB
LxW
0.7 x 2.2 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H1.1 ... 1.6 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±55 Grad
deg.
SFH 221 S
Semiconductor Group 401
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR10 (≤ 100) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.55 A/W
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
∆S±5%
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.80 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage VL330 (≥280) mV
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current IK24 µA
Isolationsstrom, VIS = 100 V
Insulation current IIS 0.1 (≤1) nA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 1 kΩ; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 25 µA
tr,tf500 ns
Durchlaβspannung, IF= 40 mA, E = 0
Forward voltage VF1.0 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C025 pF
Temperaturkoeffizient für VL
Temperature coefficient of VL
TCV–2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient für IK
Temperature coefficient of IK
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 850 nm
NEP 1.0 x 10–13 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 1.2 x 1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 221 S
Semiconductor Group 402
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL=f (Ev)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 1 V, E = 0
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
