广东省粤晶高科股份有限公司
额定值
VCBO 700 V
VCEO 400 V
VEBO 9 V
IC 8 A
IB 4 A
Tc=25
80
(Ta=25℃) 2
Tj 150
Tstg -55-150
最小 典型 最大
HFE(1) 8 60 β值
BVcbo 700 V
BVceo 400 V
BVebo 9 V
Icbo 1 mA
Iebo 1 mA
Vce(sat) 2 V
Vbe(sat) 1.6 V
fT4MHz
ton 1.6 uS
ts3.5 uS
tf0.7 uS
打印标识 D13007
ABCDE
HFE(1) 8-25 20-35 30-45 40-55 50-60
D13007
■■ 主要用途:用于电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路。
■■ 绝对最大额定值(Ta=25℃)
参数名称
NPN 硅双极晶体管
集电极-基极电压
集电极-发射极电压
发射极-基极电压
集电极电流
规范值
基极电流
■■电参数(Ta=25℃)
储存温度
集电极
耗散功率 PDW
Veb=9 V ,Ic=0
发射极-基极击穿电压
集电极-基极击穿电压 Ic=1 mA ,Ie=0
集电极-发射极击穿电压 Ic=10 mA ,Ib=0
参数名称符
号测
试条件
Ic=5A ,Ib=1A
基极-发射极饱和压降 Ic=5A ,Ib=1A
共发射极直流电流增益 Vce=5 V,Ic=2A
集电极-发射极饱和压降
Ie=1 mA ,Ic=0
集电极-基极截止电流 Vcb=700 V ,Ie=0
发射极-基极截止电流
特征频率 Vce=10V, Ic=500mA, f=1.0MHz
导通时间 Vce=10V, Ic=2A,
IB1=IB2=400mA
存贮时间
下降时间
QR027
■■ HFE(1)分档及其标识
B C E
BE
C