NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX BF 257 BF 258 *BF 259 The NPN planar epitaxia! transistors BF 257, BF 258 and BF 259 are intended for use in chrominance out- put stages and luminance output stage of colour tele- vision receivers. Les transistors NPN planar au silicilum BF 257, BF 258 et BF 259 sont particulirement destins aux tages de sortie des amplificateurs de chrominance R, V et 8 de ampilificateur de i dans les rcep 's de tlvision en he Maximum pe er dissipation 2K Preferred device Dispositif recommand VcEo 160 V to 300 V C120 2,5 pF to 30 V VeEsat 25 V to 60 mA Ri (j-c) < 25C/W Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation dep ssance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernidres pages Prot (w) 4 oO 3 B 2 1 Weight: 1g. Collector is connected to case 0 50 100 160 200 Tease | 8c) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} BF 257 BF 258 BF 259 Collector-base voltage Vv. Tension collecteur-base cBo 160 250 300 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 5 5 5 Vv Collector-emitter volta Tension coliecteur-dmattecy Vceo 160 250 300 v Collector current | Courent collecteur c 100 100 100 mA Power dissipation T....=50C P Dissipation de puissance case tot 5 5 5 Ww Junction temperature Temprature de jonction max. qj 175 175 175 ec Storage temperature Temprature de stockage max. T3tg +175 #175 +175 ec 75-50 1/4 THOMSON-CSF OMISION: SEMICONDUCTEURS, 565BF 257, BF 258, BF 259 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb {Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. BF 257 160 Collector-base breakdown voltage lq = 100KA Vv V Tension de claquage collecteur-base | =0 (BR}CBO BF 258 250 E BF 259 | 300 Collector-emitter breakd It Io = 30mA BF 257 | 160 oliector-emitter breakdown voltage = Tension de claquage collecteur-metteur Ig =0 Vip R)CEO BF 258 : 250 v BF 259 300 Emitter-base breakdown voltage Ie = 100uA Vv Tension de claquage metteur-base 1 fe =Q@ (BR)EBO 5 V Vep= 100 V 1 cB BF 257 50 nA ig =0 | Collector-base cut-off current Vep= 200 V | Courant rsiduel collecteur-base re =0 'cBo BF 258 50 nA i = 250V Ves BF 259 so | nA ig =0 ' Static forward current transfer ratio Vae= 10V Valeur statique du rapport de transfert cE Hote 25 direct du courant Io = 30 mA Collector-emitter saturation voltage Ig = 30 mA Vv 1 | Vv Tension de saturation collecteur-metteur 'p5 =6mA CEsat DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Output capacitance Voe= 30V C26 35 pF Capacit de sortie lo = 0 , R ji ; Voe= 30 V everse transfer capacitance Capacit de transfert inverse Ic ~ c 12e 2,5 pF f = 500 kHz Transition frequency Voe= 10V Frquence de transition le = 30mA fr 140 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES - Junction-case thermal resistance . | Rsistance thermique {(jonction-boitier) : Rth (j-c) 7 25 c/w 2l4 566BF 257, BF 258, BF 259 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA} {mA) 100 50 80 40 60 30 40 20 20 10 Ig =0,2 mA 0 0 0 2 4 6 8 10) Vog (V) 0 10 20 30 40 50 Vo. tv) Vep=!00 V BF 257 Vep=200 V BF 258 Vop=250 V BF 259 0 50 100 150 5 (C) 3/4 567BF 257, BF 258, BF 259 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) C126 (pF) 2 4 6 8 Veg WV) (MHz) 120 oO m I < e) 100 Y 80 na < F< Lenny 7 \ cop (pF) 68 Veg (V) 4a 568