P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 600 W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 170 V
VBR = 6.8 ... 200 V
Version 2019-05-16
SMB
~ DO-214AA
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Typ-Code = VWM. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Further available: P6SMB220...550CA
having VBR = 220 ... 550 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Auch erhältlich: P6SMB220...550CA mit
VBR = 220 ... 550V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 600 W 3)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 5 W
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) IFSM 100 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung IF = 25 A VBR ≤ 200 V VF< 3.0 V 4)
Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
45 K/W 5)
15 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
5 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.1
2.2
± 0.2
Type
Typ
2.1
± 0.1
3.7
± 0.3
2
4.6
± 0.5
5.4
± 0.5
0.15
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
P6SMBJ...
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM 1)
Breakdown voltage at
Abbruch-Spannung bei
IT = 1 mA | *) 10 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
unidirectional bidirectional VWM [V] ID [µA] VBR min [V] VBR max [V] VC [V] IPPM [A]
5.0 5.0C 5.0 800 6.4 *) 7.8 *) 10.3 58.3
5.0A 5.0CA 5.0 800 6.4 *) 7.0 *) 9.2 65.2
6.0 6.0C 6.0 800 6.7 *) 8.2 *) 11.4 52.6
6.0A 6.0CA 6.0 800 6.7 *) 7.4 *) 10.3 58.3
6.5 6.5C 6.5 500 7.2 *) 8.8 *) 12.3 48.8
6.5A 6.5CA 6.5 500 7.2 *) 8.0 *) 11.2 53.6
7.0 7.0C 7.0 200 7.8 *) 9.5 *) 13.3 45.1
7.0A 7.0CA 7.0 200 7.8 *) 8.7 *) 12.0 50.0
7.5 7.5C 7.5 100 8.3 10.1 14.3 42.0
7.5A 7.5CA 7.5 100 8.3 9.2 12.9 46.5
8.0 8.0C 8.0 50 8.9 10.9 15.0 40.0
8.0A 8.0CA 8.0 50 8.9 9.9 13.6 44.1
8.5 8.5C 8.5 10 9.4 11.5 15.9 37.7
8.5A 8.5CA 8.5 10 9.4 10.4 14.4 41.7
9.0 9.0C 9.0 5 10.0 12.2 16.9 35.5
9.0A/-AQ 9.0CA/-AQ 9.0 5 10.0 11.1 15.4 39.0
10 10C 10 5 11.1 13.5 18.8 31.9
10A 10CA 10 5 11.1 12.3 17.0 35.3
11 11C 11 5 12.2 14.9 20.1 29.9
11A/-Q/-AQ 11CA/-AQ 11 5 12.2 13.5 18.2 33.0
12 12C 12 5 13.3 16.2 22.0 27.3
12A/-AQ 12CA/-AQ 12 5 13.3 14.8 19.9 30.2
13 13C 13 5 14.4 17.6 23.8 25.2
13A/-AQ 13CA/-Q/-AQ 13 5 14.4 16.0 21.5 27.9
14 14C 14 5 15.6 19.0 25.8 23.3
14A/-AQ 14CA/-AQ 14 5 15.6 17.3 23.2 25.9
15 15C 15 5 16.7 20.4 26.9 22.3
15A/-Q/-AQ 15CA/-AQ 15 5 16.7 18.6 24.4 24.6
16 16C 16 5 17.8 21.7 28.8 20.8
16A/-AQ 16CA/-Q/-AQ 16 5/1/1 17.8 19.8 26.0 23.1
17 17C 17 5 18.9 23.1 30.5 19.7
17A/-AQ 17CA/-AQ 17 5 18.9 21.0 27.6 21.7
18 18C 18 5 20.0 24.4 32.2 18.6
18A/-AQ 18CA/-AQ 18 5 20.0 22.2 29.2 20.5
20 20C 20 5 22.2 27.1 35.8 16.8
20A/-AQ 20CA/-AQ 20 5 22.2 24.6 32.4 18.5
22 22C 22 5 24.4 29.8 39.4 15.2
22A/-AQ 22CA/-AQ 22 5/124.4 27.1 35.5 16.9
24 24C 24 5 26.7 32.6 43.0 14.0
24A/-Q/-AQ 24CA/-Q/-AQ 24 5/5/126.7 29.6 38.9 15.4
26 26C 26 5 28.9 35.3 46.6 12.9
26A/-AQ 26CA/-AQ 26 5/128.9 32.1 42.1 14.3
28 28C 28 5 31.1 37.9 50.0 12.0
28A/-AQ 28CA/-Q/-AQ 28 5 31.1 34.5 45.4 13.2
30 30C 30 5 33.3 40.1 53.5 11.2
30A/-Q/-AQ 30CA/-Q/-AQ 30 5 33.3 36.9 48.4 12.4
33 33C 33 5 36.7 44.8 59.0 10.2
1 Bi-directional types with VWM ≤ 10V have double reverse current limit – Bidirektionale Typen mit VWM ≤ 10V haben die doppelte Sperrstromgrenze
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
P6SMBJ...
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM )
Breakdown voltage at
Abbruch-Spannung bei
IT = 1 mA | *) 10 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
unidirectional bidirectional VWM [V] ID [µA] VBR min [V] VBR max [V] VC [V] IPPM [A]
33A/-Q/-AQ
33CA/-Q/-AQ
33
5/5/1
36.7
40.7
53.3
11.3
36 36C 36 5 40.0 48.4 64.3 9.3
36A/-Q/-AQ
36CA/-Q/-AQ
36
5/5/1
40.0
44.4
58.1
10.3
40 40C 40 5 44.4 54.2 71.4 8.4
40A/-Q/-AQ 40CA/-Q/-AQ 40 5 44.4 49.3 64.5 9.3
43 43C 43 5 47.8 58.3 76.7 7.8
43A/-Q/-AQ 43CA/-Q/-AQ 43 5 47.8 53.1 69.4 8.6
45 45C 45 5 50.0 61.0 80.3 7.5
45A/-AQ 45CA/-AQ 45 5 50.0 55.5 72.7 8.3
48 48C 48 5 53.3 65.0 85.5 7.0
48A/-AQ 48CA/-AQ 48 5 53.3 59.2 77.4 7.8
51 51C 51 5 56.7 69.2 91.1 6.6
51A/-AQ 51CA/-AQ 51 5 56.7 62.9 82.4 7.3
54 54C 54 5 60.0 73.2 96.3 6.2
54A/-AQ 54CA/-AQ 54 5 60.0 66.6 87.1 6.9
58 58C 58 5 64.4 78.6 103 5.8
58A/-AQ 58CA/-AQ 58 5 64.4 71.5 93.6 6.4
60 60C 60 5 66.7 81.4 107 5.6
60A/-Q/-AQ 60CA/-AQ 60 5/5/166.7 74.0 96.8 6.2
64 64C 64 5 71.1 86.7 114 5.3
64A/-AQ 64CA/-AQ 64 5/171.1 78.9 103 5.8
70 70C 70 5 77.8 94.9 125 4.8
70A/-AQ 70CA/-Q/-AQ 70 5 77.8 86.4 113 5.3
75 75C 75 5 83.3 102 134 4.5
75A/-AQ 75CA/-AQ 75 5 83.3 92.5 121 5.0
78 78C 78 5 86.7 106 139 4.3
78A/-AQ 78CA/-AQ 78 5 86.7 96.2 126 4.8
85 85C 85 5 94.4 115 151 4.0
85A/-AQ 85CA/-AQ 85 5 94.4 105 137 4.4
90 90C 90 5 100 122 160 3.8
90A/-AQ 90CA/-AQ 90 5 100 111 146 4.1
100 100C 100 5 111 135 179 3.4
100A/-AQ 100CA/-AQ 100 5 111 123 162 3.7
110 110C 110 5 122 149 196 3.1
110A/-AQ 110CA/-AQ 110 5 122 135 177 3.4
120 120C 120 5 133 162 214 2.8
120A/-AQ 120CA/-AQ 120 5 133 148 193 3.1
130 130C 130 5 144 176 231 2.6
130A/-Q/-AQ 130CA/-AQ 130 5 144 160 209 2.9
150 150C 150 5 167 204 268 2.2
150A/-Q/-AQ 150CA/-AQ 150 5 167 185 243 2.5
160 160C 160 5 178 217 287 2.1
160A/-AQ 160CA/-AQ 160 5 178 198 259 2.3
170 170C 170 5 189 231 304 2.0
170A/-AQ 170CA/-AQ 170 5 189 210 275 2.2
P6SMB220 ... P6SMB550CA VWM = 175 ... 495 V
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
1
TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V:
Please refer to datasheet P6SMB220 ... 550CA
TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V:
siehe Datenblatt P6SMB220 ... 550CA
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
00 t 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
10
10
1
0.1
2
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
[kW]
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
[pF]
[V]
C
j
V
BR
Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.)
unidir.
bidir.
V = 4 V
R
