NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED *BUX TIN TRANSISTOR SILICIUM NPN, TRIPLE DIFFUSE Preferred device Dispositif recommand - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant Vc EO 160 V - Thermal fatigue inspection Ic 20A Contrl en fatigue thermique Prot 150 W - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation Reh{j-c) < 117C/W VCE sat (18 A) <15V te (15 A) <0,5us Dissipation and Ig/pg derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation et de Is/p Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages TN XA 50 2 rs x - 30% Bottom view 8 Vue de dessous 0 } Weight :14,4g. Collector is connected to case 50 100 180 tease(C) Masse Le coflecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case 5 (Saut indications contraires} Collector-base voltage Vv, Tension collecteur-base cBO 220 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur ceo 160 v Collector-emitter voltage Ree = 1002 Vv Tension collecteur-metteur BE CER 200 Vv Collector-emitter voltage Vor =1,5V Vv 220 Tension collecteur-6metteur BE cEX Vv Emitter-base voltage v Tension metteur-base EBO 7 Vv Collector current 1 Courant coliecteur Cc 20 A Peak collector current = \ Courant de crte de collecteur = 10 ms cM 25 A Base current lp 5 Courant base Power dissipation 938 P Dissipation de puissance tease = 25C tot 150 w Junction temperature t Temprature de jonction max J 200 c Storage temperature min toa 65 C Temprature de stockage max +200 C 73-12 8 THOMSON - CSF 671 brvisidee SEMICONOUCTEUAS,,BUX 11.N STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires) Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg = 180 'cEO 15 mA Courant rsiduel collecteur-6metteur j B = 0 ' Voge = 220V CE Veg =-15V 15 mA Coltector-emitter cut-off current Icex Courant rsiduel collecteur-metteur Voce = 220V Vee =-15V 6 mA tease = 125C Emitter-base cut-off current Veg =5V I Courant rsiduel metteur-base le =0 EBO 1 mA lc = 200 mA Collector-emitter breakdown voltage ig = VCEO(sus) 160 Tansion de claquage collecteur-metteur L =25 mH v (fig. 1) Emitter-base breakdown voltage ig = 50mA Vv Tension de claquage metteur-base le = (BRIEBO 7 v Voe=2V Ic = 8A 20 60 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert Hote direct du courant Vee =4V lo =15A 10 Io = BA Ig = OBA 03 0,6 Vv Collector-emitter saturation voltage VcEsat * Tension de saturation collecteur-metteur Ip =15A Ig = 188A 08 18 v . I =15A Base-emitter saturation voltage c Vv, Tension de saturation base-metteur Ig = 188A BEsat 14 18 v Vac = 140V t ce =1s 0,18 A Second breakdown collector current org Courant collecteur de second claquage Voce =30V t =is 5 A * Pulsed tp = 300s 6 2% impuilsions 218 672*BUX 11N DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES {pour petits signaux) {Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Rsistance thermique {jonction-boitier) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition Voce =15V ransition frequency _ f Frquence de transition lo =1A T 8 MHz t = 10 MHz qT lo = 159A urn-on time . tyt t Temps total dtablissernent (fig. 2) 'By = 188A dq r 0,75 1,5 us Ie = 1BA Fall time . =188A t Temps de dcroissance (fig. 2) lea r f 0,3 0,5 US | =-188A B2 le = 15 A Carrier storage time . { =1,88 A Retard a la dcroissance (fig. 2) Bi t, 09 1,5 us Igo =- 1,88 A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance | Rec} | | 1,17 oc/W THERMAL FATIGUE INSPECTION CONTROLE EN FATIQUE THERMIQUE Mounting silicon chip on a molybdenum header Le montage de fa pastille sur un support en molybdne limite bounds mechanical constraints and provides maximum les i caniques et confre au un maxi- insurance against thermal fatigue. mum de garantie contre la fatigue thermique. Pulsed test : Contrle cyclique : 10 000 cycles an + 2 minutes (O> 70 W} off : Tminute (707 0W) tease = 125C max Atcase= 110C max 3/8 AIR*BUX 11N SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit {A) 50 20 10 Continuous Continu Pulsed Impulsion tcase = 25C 0,5 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 100 200 500 VoelY) 418 674*BUX11N TEST CIRCUIT Vv . MONTAGE DE Test CEOlsus) fig. 1) horizontal horizontal 50 Hz test transistor transistor en test ___-0 \ L = 25 mH vertical vertical @) + 12 Ww Ls >50V common Re = 100 92 orto commun +c Lf Note : The sustaining voltage VCEQ is acceptable when the trace falls to the right and above point "A". Les tensions Vceo sont acceptables lorsque /a trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS {and oscillograms) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscillogrammes) t jq_P- + lat rT al Base current Courant base oe \ Collector voltage Tension colfecteur Ig and 1g mesured with Tektronix probe Ro-Re P 6021 and Amplifier type 134 ty gy et tg2 sont mesurs avec une sonde Tektronix P6021 et Ampliticateur tyne 134 te Pulse width (fig. 2) > = 30V = 22 Rp = 3,32 Rc- Rp : non inductive resistances = 10yus Farme factor < 1% Rise and fall time < 50 ns : rsistances non inductives : Largeurdimpulsion = 10 us Facteur de forme Temps de mante et descente <50 ns g1% a a 675*BUX 11N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE | Courant collecteur en fonction de fa tension c (A) aah 12h 4k 16 12 0 1 2 3 4 (v) Vor COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la rsistance Voe )} 14<1.5mA tease = 160 210 190 170 150 2 468 2 #4 68 2 #4 10! 102 108 Roel) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fanction de fa tension lo collecteur-metteur (A) 12 mA 04 10 mA 0,3 0,2 0,1 0 0 10 20 30 40 Vogl) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant sollecteur 21E Vee = av 90 D a 2 c a < case f tT 756 )) J N 60 \ BS Fe hs 45 pe 30 20 0 2 468 2 468 2 #4 10"! 10 10" ig) 8/8*BUX11N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- 'g metteur ( Vee =4Vv 0 0,4 0,6 1,2 1,6 Vgelv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation coliecteur-metteur en v CE sat fonction du courant collecteur {v) | 1,6 1,2 0,8 0,4 2 #468 2 #468 4 1071 10 10! Iola) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de Ia tension 1, base-Emetteur (A) Vor = 4 10! 8 0 04 O08 1,2 1,6 Vggiv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en Vv fonction du courant collecteur BE {v) 1 <= = 10 8 16 1,2 0,8 0,4 2 4 68 10 244 eal 2 4 gta) 197 7/8*BUX 11N TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la Coo, tension collecteur-base F = 25 (WFD) tose T= 25C SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du t courant collecteur (us)L Io Veg = 30V ~= g 10 15 Ig (A) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du * courant collecteur yi (MHz) tease = 25C 15 OLIN \ 10! 10 {A) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en 107 5 5 2 & 2 105 10% 1037 40 22 19717 tplsech 8/8 678