FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SILICON. N CHANNEL TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, SILICIUM. CANAL N * 2N 4416 *IN4416A - HF amplification Amplification HF Maximum power dissipation ok Preferred device Dispositif recommand V(BR)GSS Ipss Y21s C12ss F (400 MHz) 30 V min 2N 4416 35 Vmin 2N 4416A 5-15 mA 2N 4416,A 4,5 -7,5 mS 2N 4416,A ses pF max 2N 4416 0,8 pF max 2N 4416 A 4dB max 2N 4416,A Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Dissipation de puissance maximale Boftier Voir dessin cot CB-4 dernires pages Prot (mw) Bottom view 300 N Vue de dessous | M eS Os I) 5 | N i D 100 ! NX Weight : 0,7 g. Connection M is connected to case 9 50 100 150 Tamp'? Masse , La connexion M est relie au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T, 44, = +25C {Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am (Sauf indications contraires} Drain-source voitage Tension drain-source Vos 30 v Gate-source voltage Tension grille-source Ves 30 v Gate-drain voltage Tension grille-drain V6 D 30 v Gate current Courant de grille Ig 10 mA Power dissipation Dissipation de puissance Prot 300 mW Storage temperature min. T -65 C Temprature de stockage max stg +200 c 75-46 1/7 THOMSON-CSF (DMISION SEMICONDUCTEURS: SCSHSeC ml 8112N 4416, 2N 4416 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vang = 0 DS ! -0,1 nA Veg = -20V GSs Total gate leakage currerit _ Courant de fuite total de grille Vos =0 Ves = ~20V 'gss 0,2 uA Tamb= 150C Gate-source breakdown voltage Vps = 0 Vv 2N4416 | - 30 Vv Tension de claquage grille-source Ig = -1THA (BR)GSS 2N4416A| 35 Forward gate source voltage Vps =0 Vv 1 V Tension grille-source en direct lg = 1mA GS Drain current Ving = 15 V * Courant de drain Ves =0 pss 5 15 mA Gate-source cut-off voltage Vong = 18V 2N 4416 -6 Tension grille-source de blocage In = 1nd Ves off 2N4416A| ~ 2,5 -6 v Gate-source voltage Ving = 15 V _ . Tension grille-source 1 . =0,5mA Vs 1 5,5 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} ( t it Vos = tev Nput capacitance = Capacit d'entre Ves = 0 Criss 4 pF f = 1MHz 0 Vos = 18V lutput capacitance = Capacit de sortie Ves Qo C2255 2 pF f = 1MHz Vag = 18 V Reverse transfer capacitance yes =0 c 2N 4416 09 oF Copacit de transfert inverse cs 12s IN4416A 0,8 f = 1MHz Vos = 15V Ves = 9 Rel 445) 1 ms f = 400 MHz I dmi Vos = 15V Nput admittance = Admittance dentre Ves Qo RelY 44.) 0,1 ms f = 100 MHz Vong = 15V DS Ves =0 Im( 44.) 10 mS f = 400 MHz * Pulsed p< 300us 5 < 2% impulsions 27 8122N 4416, 2N 4416 A DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) T. =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} amb (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Input admitt Vps = 18V nput admittance _ Admittance d'entre Veg = 9 ImlY 445) 25 mS = 100 MHz Ving = 18 V bs Ves = 0 IYorsl 45 7,5 mS Forward transfer admittance f= kHz Admittance de transfert direct Vos = 1BV Ves =0 Re(,,) 4 mS f = 400 MHz Vos = 15V Ves = 0 Vas! 50 us = 1kHz Vps = 15V Ves = 9 Re(Y59,) 100 us f = 400 MHz Ving = 15 V Output admittance DS Admittance de sortie Ves = 9 Rel 996) HS f = 100MHz Vog = 18V Vos = 0 Im( 99.) 4 mS f = 400 MHz Vos = 15V Ves = 0 Im(Yo9,) 1 mS f = 100MHz Vos = 15V ip =5mA Ge 18 dB Power gain (neutralized) (see fig. 1) f= 100 MHz Gain en puissance (neutrodyn){voir fig. 7) Vos = 158 V Ip = 5mA G, 10 dB f = 400 MHz Vos = oy | = 5m DB F Rg = 1k2 2 dB Noise figure f = 100 MHz Facteur de bruit Woe Sma o 7=9m F Rg = 1k2 4 de f = 400 MHz 3/7 8132N 4416, 2N 4416 A POWER GAIN AND NOISE FIGURE TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DU GAIN EN PUISSANCE ET DU FACTEUR DE BRUIT Figure 1 ee ee a | C3 | ik < ' | | 2=502 f | Input C! L2 | Entre | * | Z=502 | | | sie | | co _4ye-__ at vs Vos Hip =5 mA +15V : Adjust Vg for Ip = 5 mA and Vgg <0 V Ajuster Vgg pour Ip =5 mA et Vgg << OV c, Cy C3 Cy Cy Ce Cy ly Ly Lg 100 MHz| 7 pF 1000 pF] 3pF |1-12pF/ 1-12 pF/0,0015 uF/0,0015 uF) 3H 0,25 wH | 0,14 uH 400 MHz| 1,8 pF 27 pF 1pF |0,8-8 pF/0,8 - 8 pF| 0,001 uF] 0,001 uF} 0,2 uH | 0,03 nH | 0,022 nH 100 MHz power gain Gain en puissance 4 100 MHz L, 17 turns, # 28 enameled copper wire, close wound on 9/32" ceramic coil form. Tuning provided by a pondered iron slug. lyg-4 1/2 turns, # 18 enameled copper wire, 5/16 long. 3/8 I.D. (air core). t3-3 1/2 turns, # 18 enameled copper wire, 1/4 long. |.D. (air core). L 17 17 tours de fil cuivre maili & 32/100 de mm, bobin sur un mandrin eramique de > 7 mm. Seif rglable par noyau piongeur en fer agglomr. L 27 4 tours 1/2 de fil cuivre maill 1mm, 8 mm de longueur. Diamtre interne 9,5 mm (bobin en I'sir). L 37 3 tours 1/2 de fil cuivre maill 1 mm, 6,3 mm de longueur. Diamtre interne 9,5 mm (babin en lair). 400 MHz power gain Gain en puissance a 400 MHz Ly 6 turns, # 24 enameled copper wire, close wound on 7/32 ceramic coil form. Lo 1turn, # 16 enameled copper wire, 3/8" |.D. (air core). bg - 1/2 turn, # 16 enameled copper wire, 1/4 I.D. (air core). L 7 6 tours de fil cuivre maill @ 50/100 de mm, bobin sur un mandrin cramique de 65,5 mm. Le rgiage est fait par noyau plongeur en aluminium. 42 1 taur de fil cuivre maili $ 1,3 mm, 1 spire ayant 9 intrieur de 9,5 mm (bobin en Mair). b3- 1/2 tour de fil cuivre maill @ 1,3 mm, 1 spire ayant @ intrieur de 6,3 mm (bobin en Wair). 4/7 8142N 4416, 2N 4416 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 'b 'p : {mA} tp < 300 us 6 &2% Ves = OV 10 Veg =-1V 5 Veg= ~ 2V Ves =-3V 0 1 1 2 Veg'V) 0 5 10 15 Vps!V) 5/7 8152N 4416, 2N 4416 A DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Yous (mS) 10! 5 2 10 5 2 107 5 2 102 10! 4 8 8192 ? & nae) yo! 7 * FS Sage? 8 Mee) Y425 (mS) 5 2 10! 5 2 10 5 2 107 5 2 107 5 2 103 63a 6s. 10! 10? f(MHz} 10! 10? #(MH2) 6/7 8162N 4416, 2N 4416 A DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Ze vaqre 2 T 4 omy ne 2,2 2,0 10 VpglV} c Criss 12ss (pF) 8 4.66 ~Vag'V) 10 10" VgglV) WT 817