BAV70
BAV70
Surface Mount Small Si gn al D o u bl e-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-9-28
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAV70
Power dissipation − Verlustleistung 1)P
tot 310 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM 70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current 3)
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = 25 V IR< 5 µA
Tj = 150°C VR = 25 V
VR = 70 V
IR
IR
< 60 µA
< 100 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
BAV70
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT1.5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 6 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 420 K/W 1)
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAV70 = A4
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
2
1
3
