SFH 310
SFH 310 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 310 SFH 310 FA
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei
880 nm (SFH 310 FA)
• Hohe Linearität
• 3 mm-Plastikbauform
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-2/3
SFH 310-3
Q62702-P874
Q62702-P1747
Q62702-P3595
Q62702-P1748
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-2/3
SFH 310 FA-3
Q62702-P1673
Q62702-P1749
Q62702-P3596
Q62702-P1750
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of 880 nm
(SFH 310 FA)
• High linearity
• 3 mm plastic package
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 310, SFH 310 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 70 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 100 mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
SFH 310, SFH 310 FA
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 310 SFH 310 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 780 880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ470 …1070 740 …1070 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A0.19 0.19 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.65 ×0.65 0.65 ×0.65 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H2.1 …2.7 2.1 …2.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±25 ±25 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E=0
Capacitance CCE 10 10 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 10 V, E=0
ICEO 5 (≤100) 5 (≤100) nA
Fotostrom
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
≥ 0.4
4≥ 0.4
–mA
mA
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 310, SFH 310 FA
Directional Characteristics
Srel =f(ϕ)
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-1 -2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
SFH 310:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
standard light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.4 …0.8
2.1
0.63 …1.25
3.4
1.0 …2.0
5.4
≥ 1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr,tf57 812µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 150 150 150 150 mV
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
SFH 310, SFH 310 FA
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
TA=25°C, λ = 950 nm
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 310 Srel = f (λ)
Total Power Dissipation
Ptot = f(TA)
Dark Current
ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E= 0
OHF00871
tot
P
00
40
80
120
160
mW
200
20 40 60 80 ˚C 100
T
A
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 310 FA Srel = f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (VCE), Ee= Parameter
Capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz
λ
OHF02331
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
Photocurrent
IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Dark Current
ICEO = f (VCE), E = 0
Photocurrent IPCE =f (TA),
VCE = 5 V, normalized to 25 °C
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0 25 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 310, SFH 310 FA
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.4
0.6
3.1
3.4
Area not flat
5.7
6.1
ø2.7
ø2.9
4.8
4.4
3.7
3.5
27.0
29.0
spacing
2.54 mm
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
1.2
1.8
GEX06710
0.9
1.1
Collector/
Cathode
