NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA) * Hohe Linearitat * 3 mm-Plastikbauform Features * Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of 880 nm (SFH 310 FA) * High linearity * 3 mm plastic package Anwendungen * Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" Applications * Photointerrupters * Industrial electronics * For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 310 SFH 310-2 SFH 310-2/3 SFH 310-3 Q62702-P874 Q62702-P1747 Q62702-P3595 Q62702-P1748 SFH 310 FA SFH 310 FA-2 SFH 310 FA-2/3 SFH 310 FA-3 Q62702-P1673 Q62702-P1749 Q62702-P3596 Q62702-P1750 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 310, SFH 310 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s TS 260 C Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s TS 300 C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current ICS 100 mA Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 165 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 310, SFH 310 FA Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value SFH 310 SFH 310 FA Einheit Unit Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 780 880 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 470 ... 1070 740 ... 1070 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 0.19 0.19 mm2 Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area LxB LxW 0.65 x 0.65 0.65 x 0.65 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 2.1 ... 2.7 2.1 ... 2.7 mm Halbwinkel Half angle 25 25 Grad deg. Kapazitat, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 10 10 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 5 ( 100) 5 ( 100) nA IPCE IPCE 0.4 4 0.4 - mA mA Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 310, SFH 310 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 310: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V Symbol Symbol Einheit Unit -1 -2 -3 -4 IPCE 0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1.0 ... 2.0 1.6 mA IPCE 2.1 3.4 5.4 8.6 mA 5 7 8 12 s 150 150 150 150 mV Anstiegszeit/Abfallzeit tr, tf Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 Wert Value VCEsat 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Directional Characteristics Srel = f () 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 310, SFH 310 FA TA = 25 C, = 950 nm Relative Spectral Sensitivity, SFH 310 Srel = f () Relative Spectral Sensitivity, SFH 310 FA Srel = f () Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF02331 100 S rel % 80 60 40 20 0 400 Total Power Dissipation Ptot = f (TA) 600 800 1000 nm 1200 Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark Current ICEO = f (VCE), E = 0 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 C OHF00871 200 mW P tot 160 120 80 40 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Dark Current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 PCE OHF01524 1.6 PCE 25 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25 2000-01-01 5 0 25 50 75 C 100 TA OPTO SEMICONDUCTORS SFH 310, SFH 310 FA Mazeichnung Package Outlines 4.8 4.4 1.1 0.9 1.8 1.2 3.7 3.5 6.1 5.7 29.0 27.0 Collector/ Cathode 3.4 3.1 o2.9 o2.7 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 0.6 0.4 GEX06710 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS