KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W
KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2006-12-09
Type “ FP“
Type “ WP“
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom 25 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung 35...1000 V
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden Index “P “
Dimensions
Abmessungen 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca. 17 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL 94V-0 k lassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Prod uc t – Underwr iters Labora tor ies Inc.® File E175067
Anerkann t es Pr od uk t – Underwriters Labor ator i es Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC2500F/W 35 50
KBPC2501F/W 70 100
KBPC2502F/W 140 200
KBPC2504F/W 280 400
KBPC2506F/W 420 600
KBPC2508F/W 560 800
KBPC2510F/W 700 1000
KBPC2512F/W 800 1200
KBPC2514F/W 900 1400
KBPC2516F/W 1000 1600
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
14.3
±0.5
28.6
±0.2
21.6
±1
0.8
6.3
Ø 5.2
18.1
±0.5
7.9 16.6
±0.5
16.6
±0.5
6.7
+
7.3
+
Type
==
28.6
±0.2
min. 30
1.2
Ø 5.2
18
±0.5
11.6
±0.5
+
7.3
+
18
±0.5
Type
==
==
KBPC2500F ... KBPC2516F, KBPC2500W ... KBPC2516W
Maximum ratings Grenzwerte
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 270/300 A
Rating for f using, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load
C-load IFAV
IFAV
25 A
20 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF< 1.2 V 2)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.0 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF
M5 18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
1 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C geha lten wi rd
2 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
270a-(12a-1.2v)
