NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR BF 115 TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL The NPN plan epitaxial transistor BF 115 is intended for use in front-end and osciliator- mixer stages of FM tuners and generally for all HF uses. VcEo 30 V Le transistor NPN plan pitaxial BF 115 est desti- fy 250 MHz n a 6tre utilis comme amplificateur, oscillateur-m- langeur dans les rcepteurs FM et dune facon gnrale F (100 MHz) 3,5dB 4 tous usages haute frquence. Ci20 0,7 pF max, Maximum power dissipation Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-4 dernires pages Prot (mw) 250 M 200 In free air cy E 150 A lair libre B 100 With infinite heat sink Avec radiateur intini 50 0 an Weight : 0,7 g. Connection M is connected to case 25 55 85 115 145 175 ToC} Masse La connexion M est relie au boltier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} T = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb (Saut indications contraires) Collector-emitter voltage : Vv Tension collecteur-metteur CEO 50 Vv Collector-base voltage Tension collacteur-base Vego 5 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VEBO 30 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Voce x 30 v Collector current { Courent collecteur c 30 mA Power dissipation Tamb = 25C Prot 165 mW Dissipation de puissance = 25 Tease = 26C 300 mw Junction temperature . Temprature de jonction Max. qj 175 c Storage temperature Min. T ~ 55 C Temprature de stockage Max stg . +175 C 76-16 1/8 THOMSON-CSF COMISION SEMICONDUCTEURS. 473 Ses@eseanBF 115 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vog = 10V 1 Courant rsiduel collecteur-base { e =0 CBO 100 nA | =10pA Collector-base breakdown voltage c Vv Tension de claquage collecteur-bese le = (BR)CBO 50 v : | =2mA Collector-emitter breakdown voltage Cc v Tension de claquage collecteur-metteur Ip = (BR)CEO 30 v Emitter-base breakdown voltage le = 10 pA ViBRIEBO 5 V Tension de claquage metteur-base lo = Static forward current transfer ratio Vee =10V h Valeur statique du rapport de transfert \ _ 21E 40 165 direct du courant c =ima Base-emitter voltage Veg =10V Tension base-metteur Io =1mA Vee 0,65 0,74 v DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Vee =10V Transition frequency | cE =1mA f- 150 250 MHz Frquence de transition c Tim T f = 100 MHz . sy ogs Vee =10V Maximum oscillation frequency CE ft Frquence limite doscillation Io =1mA max 910 MHz Vee =10V Collector-base time constant ! cE _ rope Che 12 15 Constante de temps collecteur-base c =imA bbbc Pp f = 25 mHz 2/8 474BF 115 DYNAMIC CHARACTERISTICS 7 CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES amb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Feedback capacitance (common Voge =10V emitter) \ =1mA _c Capacit de raction (metteur c im 12e 06 0,7 pF commun} f = 0,5 MHz Vee = 10V ' =1mA c f =0,2MHz 12 Rg =3002 Veg = 10V | =1mA c f = 1MHz 3,5 Rg =502 Noise figure Facteur de bruit F dB Voge = 10V le =1mA f =1MHz 1,2 Rg =3002 Voge = 10V lo =1mA f = 100 MHz 3,5 Rg = 1002 Vep =10V Input conductance cB Conductance dentre Ie =-1mA 911b 33 mA/V f = 100 MHz Input susceptance Ves = Ov sus Susceptance dentre Ie =-imA Piib 5,65 mA/V f = 100 MHz \ | Vog = 10V Nput capacitance _ Capacit dentre le =imA Crp 9 pF f = 100 MHz Feedback admittance (absolute Veg = 10V value) bert i 'e) Ie =-1mA Y412b 380 BAIV Admittance de transfert inverse (module, f = 100 MHz Phase angle of transfer admittance Yop = 10V Angie de phase de Iadmittance de te =-1ImMmA a) 2b 90 transfert f = 100MHz 3/8 475BF 115 DYNAMIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES amb = (Saut indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transfer admittance (absolute Veg = 10V value) Ip =1mA Yo1b 33 mA/V Admittance de transfert (value) f = 100 MHz Veg = 10V Phase angle of feedback admittance I =-1mA 145 Angle de phase de ladmittance inverse E 21b f = 100 MHz 0 4 Veg = 10V utput conductance _ Conductance de sortie \e =-1 mA 992b 44 BAIV f = 100 MHz output suscent Vog = 10V 5 utput susceptance Susceptance de sortie le =1mA 22b 940 HA/V f = 100 MHz Ven =10V Output capacitance cB Capacit de sortie \e =-1mA C295 1,5 pF f = 100 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-ambiante) Rented 900 C/W Junction-case thermal resistance Rae Rsistance thermique (jonction-boitier) th(j-a) 500 c/w 4/8 476BF 115 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES lc Ig (mA) Tomb = 25C (mA) Tamb = 25C 10 mA 10 10 [ 8mA 8 ( 8 6 mA 6 6 4mA 4 4 t te =2mA 2 Y 2 0 0 -0,12 -0,8 -0,4 0 4 8 Vog!v) 0 4 8 12 16 20 VoglV) hy (norm.} Voge =10 1,6 1,2 08 0,4 5/8 477BF 115 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES 5% opt. S110 {mA/V) F (dB) Cit6 (pF) 10 2 10! 8 Voge = 10V 8 lo =imA 6 Tomb = 25C 4 6 a 2 4 4 / 10 C a" 8 $ Opt. o 6 coal - - - 4 a 2 Cosa Fee 2 0 107 0 2 4 68 1 2 4 68 10 10 f (MHz) 107 10 tglma) 10,7 MHz 25C 10-" 10 ey (mA) E 6/8 478BF 115 DYNAMIC CHARACTERISTICS (Following) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (Suite) Y Y 12e 2ie wav) Y 126 {ma/V) Hy 29C) mmm F120 Yate! } ate 4 > Tamb = 25C > | Vag = 1V410V 102 8 ee i 10 8 8 6 6 : Vog = tVF10V 4 4 - t --r-t ; 5 ce = 1V 5V 10! 10? ~. 8 8 6 6 4 4 2 2 10 10! 1 2 68 2 4 -1 2 4 2 4 6 1-! 10 ~Ie(mA) 10 10 t. (mA) E E 107 10 I_(ma) 718 479BF 115 DYNAMIC CHARACTERISTICS (Following) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (Suite) Q Y,>2- 118 IY +26 (a/v) WAN) Cie F120 (pF) 2 2 102 = 1V+10V 10! 8 = 8 6 Yop = 1V, 6 4 4 2 2 10! 10 8 8 6 6 4 4 2 2 10 10" 1 1071 10 10 ~Ig(ma) 8/8 480