[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
21
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
フォトカプラ系統図および用語説明フォトカプラ系統図および用語説明
フォトカプラ系統図および用語説明
1. フォトカプラ系統図
フォトカプラ系統図フォトカプラ系統図
フォトカプラ系統図
TLP521-1, TLP521-4
TLP621, TLP621-4
: BVS 2500 Vrms, 4000 Vrms, 5000 Vrms
代表品種
低入力
AC 入力
高耐圧
IF定格
高耐圧
400 V 耐圧
(TLP624, TLP624-4)
(TLP620, TLP620-4)
(TLP321, TLP321-4)
(TLP629, TLP629-4)
(TLP523, TLP523-4)
(TLP627, TLP627-4)
(TLP525G, TLP525G-4)
(TLP722)
低入力
AC 入力
高耐圧
ゼロクロス型
非ゼロクロス型
400 V 耐圧
高速
パワー素子ドライバ
シャント抵抗無
4ピン&マルチチャネル
ミニフラットパッケージ
(TLP181)
(TLP124)
(TLP180)
(TLP127)
(TLP166J)
(TLP165J)
(TLP141G)
1 Mbit/s (TLP114A)
10 Mbit/s (TLP115A)
(IGBT) (TLP151)
(TLP190B)
SOP
AC 入力
汎用パッケージ
AC 入力
低入力
高耐圧
(TLP281, TLP281-4)
(TLP280, TLP280-4)
(TLP531, TLP631)
(TLP630)
(TLP331)
(TLP570)
(TLP371)
フォトカプラ
トランジスタ出力
ダーリントン出力
トライアック出力
ダイオード出力
トランジスタ出力
ダーリントン出力
トライアック出力
サイリスタ出力
IC 出力
フォトボル出力
トランジスタ出力
トランジスタ出力
ダーリントントランジスタ出力
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
22
400 V 耐圧
600 V 耐圧
400 V 耐圧
600 V 耐圧
0.5 A 出力
0.6 A 出力
1.0 A 出力
1.2 A 出力
パワー素子ドライバ
シャント抵抗無
シャント抵抗有
(TLP541G, TLP641G)
(TLP545J, TLP641J)
ゼロクロス型 (TLP561G)
非ゼロクロス型 (TLP560G)
ゼロクロス型 (TLP561J)
非ゼロクロス型 (TLP560J)
ゼロクロス型 (TLP3507)
非ゼロクロス型 (TLP3506)
非ゼロクロス型 (TLP3502A)
ゼロクロス型 (TLP3527)
非ゼロクロス型 (TLP3526)
非ゼロクロス型 (TLP3520A)
300 kbit/s (TLP553)
1 Mbit/s (TLP550)
5 Mbit/s (TLP558)
10 Mbit/s (TLP552, TLP554)
(GTR) (TLP557)
(IGBT) (TLP250, TLP251)
(TLP590B)
(TLP591B)
高耐圧 (TLP227G, TLP227G-2)
(TLP176G, TLP206G)
計測器用 (TLP3110, TLP3111)
(TLP596G, TLP597G)
計測器用 (TLP3540)
ミニフラットパッケージ
汎用パッケージ
SOP
フォトリレー (MOS FET 出力)
4ピン&マルチチャネル
サイリスタ出力
AC パワー出力
IC 出力
フォトボル出力
薄型ハーフピッチ
トライアック出力
: BVS 2500 Vrms, 5000 Vrms
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
23
2. 用語説明
用語説明用語説明
用語説明
(共通
共通共通
共通)
用語 記号 説明
最大定格 動作中に瞬時といえども超えてはならない最大値
絶縁耐圧 BVS 入力・出力間の絶縁耐量を保証する電圧
端子間容量 CCE トランジスタコレクタ端子-エミッタ端子間の静電容量
入出力間浮遊容量 CS 入力端子-出力端子間の静電容量
端子間容量 CT LED アノード端子-カソード端子間の静電容量
直流順電流 IF 連続的に LED 順方向に流し得る電流定格
パルス順電流 IFP 瞬時的に LED 順方向に流し得る電流定格
過度パルス順電流 IFPT 瞬時的に LED 順方向に流し得る電流定格
逆電流 IR LED 逆方向 (カソード-アノード間) に流れる漏れ電流
許容損失 PD LED で許容し得る電力損失定格
PT 入力・出力の全回路で許容し得る電力損失定格
絶縁抵抗 RS 規定の電圧値での入力端子-出力端子間の抵抗値
接合部温度 Tj チップのジャンクション部で許容し得る温度定格
動作温度 Topr 素子の機能を損なうことなく動作させ得る周囲温度範囲
はんだ付け温度 Tsol 素子の機能を損なうことなく端子をはんだ付けするための温度定格
保存温度 Tstg 素子を動作させない状態で保存し得る周囲温度範囲
順電圧 VF 規定の順電流値での LED アノード-カソード間電圧
直流逆電圧 VR カソード-アノード間に印加し得る逆電圧定格
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
24
(トランジスタ出力
トランジスタ出力トランジスタ出力
トランジスタ出力)
用語 記号 説明
直流電流増幅率 h
FE 受光トランジスタの hFE
コレクタ電 I
C コレクタに流し得る電流定格
変換効率 I
C/IF (CTR) 入力 LED 電流 IFに対する出力電流 ICの比
: IC/IF × 100 (単位%)
暗電流 I
CEO コレクタ-エミッタ間に流れる漏れ電流
ベース光電 I
PB 規定の入力電流 IFで受光側ベース部に発生する光電流
コレクタ損 P
C コレクタで許容し得る電力損失定格
立ち下がり時間 t
f 出力波形の 90%から 10%まで遷移するのに要する時間
ターンオフ時間 t
OFF 入力オン オフ時点から、出力波形が 0 (100) %から 90 (10) %まで遷移
するのに要する時間
ターンオン時間 t
ON 入力オフ オン時点から、出力波形が 0 (100) %から 90 (10) %まで遷移
するのに要する時間
立ち上がり時間 t
r 出力波形の 10%から 90%まで遷移するのに要する時間
蓄積時間 t
S 入力オン オフ時点から、出力波形が 0 (100) %から 10 (90) %で遷移
するのに要する時間
コレクタ-ベース間降伏電圧 V
(BR) CBO エミッタを開放にしたときのコレクタ-ベース間の降伏電圧値
コレクタ-エミッタ間降伏電圧 V
(BR) CEO ベースを開放にしたときのコレクタ-エミッタ間の降伏電圧値
エミッタ-ベース間降伏電圧 V
(BR) EBO コレクタを開放にしたときのエミッタ-ベース間の降伏電圧値
エミッタ-コレクタ間降伏電圧 V
(BR) ECO ベースを開放にしたときのエミッタ-コレクタ間の降伏電圧値
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 V
CE (sat) 規定の飽和条件におけるコレクタ-エミッタ間の電圧
コレクタ-ベース間電圧 V
CBO コレクタ-ベース間に印加し得る電圧定格
コレクタ-エミッタ間電圧 V
CEO コレクタ-エミッタ間に印加し得る電圧定格
エミッタ-ベース間電圧 V
EBO エミッタ-ベース間に印加し得る電圧定格
エミッタ-コレクタ間電圧 V
ECO エミッタ-コレクタ間に印加し得る電圧定格
コレクタオフ電流 I
C (off) 入力に低電圧を印加したときのコレクタ-エミッタ間に流れる漏れ電流
(ダイオード出力
ダイオード出力ダイオード出力
ダイオード出力)
用語 記号 説明
アノード-カソード間電圧 V
AKO アノード-カソード間に印加し得る電圧定格
カソード-アノード間電圧 V
KAO カソード-アノード間に印加し得る電圧定格
カソード-アノード間漏れ電流 I
KA カソード-アノード間に流れる漏れ電流
アノード-カソード間順電流 I
AK アノード-カソード間に流し得る順電流
出力端子間容量 C
AK アノード-カソード間の端子間容量
暗電流 I
leak カソード-アノード間に流れる漏れ電流
カソード-アノード間降伏電圧 V
(BR) KAO カソード-アノード間の降伏電圧
アノード-カソード間降伏電圧 V
(BB) AKO アノード-カソード間の降伏電圧
直流順電流 I
FD アノード-カソード間に流し得る順電流定格
直流逆電圧 V
RD カソード-アノード間の直流逆電圧定格
順電圧 V
FD アノード-カソード間の順電圧
逆電流 I
RD カソード-アノード間の逆電流
開放電圧 V
OC 入力光による出力起電圧
短絡電流 I
SC 入力光による出力電流
端子間容量 C
TD 受光側端子間の静電容量
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
25
(トライアック・サイリスタ出力
トライアック・サイリスタ出力トライアック・サイリスタ出力
トライアック・サイリスタ出力)
用語 記号 説明
オフ電圧上昇率 dv/dt オフ状態にあるトライアックがそのオフ状態を維持できる最大の T1-T2
電圧の上昇率
d v / d t dv/dt (C) 転流時におけるオフ電圧上昇率
せん頭オフ電流 I
DRM オフ状態でトライアック T1-T2間に流れる漏れ電流
トリガ LED 電流 I
FT トライアックをオン状態へ移行させるに必要な入力電流 IFの最小値
保持電流 I
H いったんオンした後、そのオン状態を維持するのに必要な最小のトライ
アック T1-T2電流
インヒビット電流 I
IH ゼロクロス-オン動作が抑止されているインヒビット領域で、T1-T2間に流
れる漏れ電流
実効オン電 I
T オン状態でトライアック T1-T2間に流し得る実効電流定格
パルスオン電流 I
TP オン状態でトライアック T1-T2間に流し得る繰り返しパルス電流のピーク
定格
せん頭 1サイクルサージ電流 I
TSM オン状態でトライアック T1-T2間に流し得る商用周波正弦半波電流の非繰
り返し 1サイクルのピーク定格
せん頭阻止電圧 V
DRM オフ状態でトライアック T1-T2間に印加し得る繰り返し電圧の定格
インヒビット電圧 V
IH ゼロクロス機能においてゼロクロス-オン動作が抑止される T1-T2間電圧の
最小値
せん頭オン電圧 V
TM 規定のオン状態におけるトライアック T1-T2間の電圧
せん頭順漏れ電流 I
DRM オフ状態でサイリスタアノード-カソード間順方向に流れる漏れ電流
せん頭逆電 I
RRM オフ状態でサイリスタアノード-カソード間逆方向に流れる漏れ電流
実効順電流 I
T オン状態でサイリスタアノード-カソード間順方向に流し得る実効電流
せん頭順阻止電圧 V
DRM オフ状態でサイリスタアノード-ソード間に印加し得る繰り返し順電圧
の定格
せん頭逆電 V
RRM オフ状態でサイリスタアノード-ソード間に印加し得る繰り返し逆電圧
の定格
せん頭順電圧降下 V
TM 規定のオン状態におけるサイリスタアノード-カソード間順方向の電圧
せん頭逆ゲート電圧 V
GM ゲート-カソード間に印加し得るゲート逆電圧の定格
電極間容量 C
j アノード-カソード間あるいはゲート-カソード間の静電容量
[ 3 ] フォトカプラ系統図および用語説明
26
(IC 出力
出力出力
出力)
用語 記号 説明
ハイレベル瞬時コモンモード除去電圧 CMH 規定のハイレベルを維持できる、入出力間コモンモード電圧の最大上昇率
ローレベル瞬時コモンモード除去電圧 CML 規定のローレベルを維持できる、入出力間コモンモード電圧の最大上昇率
ハイレベル供給電流 I
CCH 出力がハイレベルのとき電源端子に流れ込む回路供給電流
ローレベル供給電流 I
CCL 出力がローレベルのとき電源端子に流れ込む回路供給電流
スレッショルド入力電流 I
FLH (IFHL) 出力をロー (ハイ) からハイ (ロー) へ移行させるに必要な入力電 IF
最小値
入力電流ヒステリシス I
HYS 同一素子における IFLH IFHL の差
出力電流 I
O 出力端子に流し得る電流定格
ピーク出力電流 I
OP 出力端子に流し得るピーク電流定格
ハイレベル出力電流 I
OH 規定のハイレベル出力電圧条件での出力電流値
ローレベル出力電流 I
OL 規定のローレベル出力電圧条件での出力電流値
出力許容損 P
O 出力段で許容し得る電力損失定格
伝達遅延時間 (H L) t
PHL 入力オフ (オン) オン (オフ) 時点から出力波形がハイレベルからロー
レベルの規定値まで遷移するのに要する時間
伝達遅延時間 (L H) t
PLH 入力オン (オフ) オフ (オン) 時点から出力波形がローレベルからハイ
レベルの規定値まで遷移するのに要する時間
電源電圧 V
CC 電源端子に印加し得る電圧定格
出力電圧 V
O 出力端子に印加し得る電圧定格
ハイレベル出力電圧 V
OH 規定のハイレベル出力電流条件での出力電圧値
ローレベル出力電圧 V
OL 規定のローレベル出力電流条件での出力電圧値
3ステートイネーブル端子 V
E イネーブル端子に印加し得る電圧定格
ハイレベルイネーブル電圧 V
EH イネーブル端子をハイレベルとする電圧
ローレベルイネーブル電圧 V
EL イネーブル端子をローレベルとする電圧
フォトリレー
フォトリレーフォトリレー
フォトリレー
(MOS FET 出力
出力出力
出力)
用語 記号 説明
トリガ LED 電流 I
FT 出力 MOS FET をオン状態へ移行させるのに必要な入力電流 IFの最小値
オフ電流 I
OFF オフ状態で MOS FET 出力端子間に流れる漏れ電流
オン電流 I
ON オン状態で MOS FET 出力端子間に流し得る電流定格
オン抵抗 R
ON 規定のオン状態における MOS FET 出力端子間の抵抗値
阻止電圧 V
OFF オフ状態で MOS FET 出力端子間に印加し得る電圧定格
出力端子間容量 C
OFF オフ状態で MOS FET 出力端子間の静電容量
クローズ電 I
FC 出力 MOS FET をオン状態からオフ状態へ移行させるために流せる電流 IF
の最大値